關(guān)于鋰電池保護(hù)板常見不良分析
來源：寶鄂實(shí)業(yè)
2019-06-05 16:31
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一、無閃現(xiàn)、輸出電壓低、帶不起負(fù)載：
此類不良首要排除電芯不良（電芯原本無電壓或電壓低），假設(shè)電芯不良則應(yīng)檢驗(yàn)保護(hù)板的自耗電，看是否是保護(hù)板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。假設(shè)電芯電壓正常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板整個(gè)回路不通（元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等）。
（一）、用萬用表黑表筆接電芯負(fù)極，紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端，IC的Vdd、Dout、Cout端，P+端（假定電芯電壓為3.8V），逐段進(jìn)行分析，此幾個(gè)檢驗(yàn)點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是，則此段電路有問題。
1、FUSE兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)FUSE是否導(dǎo)通，若導(dǎo)公例是PCB板內(nèi)部電路不通；若不導(dǎo)公例FUSE有問題（來料不良、過流損壞（MOS或IC操控失效）、質(zhì)料有問題（在MOS或IC動(dòng)作之前FUSE被燒壞），然后用導(dǎo)線短接FUSE，持續(xù)往后分析。
2、R1電阻兩端電壓有改動(dòng)：檢驗(yàn)R1電阻值，若電阻值失常，則或許是虛焊，電阻自身開裂。若電阻值無失常，則或許是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。
3、IC檢驗(yàn)端電壓有改動(dòng)：Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端失常，則是因?yàn)镮C虛焊或損壞。
4、若前面電壓都無改動(dòng)，檢驗(yàn)B-到P+間的電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板正極過孔不通。
（二）、萬用表紅表筆接電芯正極，激活MOS管后，黑表筆依次接MOS管2、3腳，6、7腳，P-端。
1.MOS管2、3腳，6、7腳電壓有改動(dòng)，則標(biāo)明MOS管失常。
2.若MOS管電壓無改動(dòng)，P-端電壓失常，則是因?yàn)楸Ｗo(hù)板負(fù)極過孔不通。
二、短路無保護(hù)：
1、VM端電阻出現(xiàn)問題：可用萬用表一表筆接IC2腳，一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳，供認(rèn)其電阻值大小?？措娮枧cIC、MOS管腳有無虛焊。
2、IC、MOS失常：因?yàn)檫^放保護(hù)與過流、短路保護(hù)共用一個(gè)MOS管，若短路失常是因?yàn)镸OS出現(xiàn)問題，則此板應(yīng)無過放保護(hù)功用。
三、短路保護(hù)無自恢復(fù)：
1、規(guī)劃時(shí)所用IC原本沒有自恢復(fù)功用，如G2J，G2Z等。
2、儀器設(shè)置短路恢復(fù)時(shí)間過短，或短路檢驗(yàn)時(shí)未將負(fù)載移開，如用萬用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從檢驗(yàn)端移開（萬用表相當(dāng)于一個(gè)幾兆的負(fù)載）。
3、P+、P-間漏電，如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香，帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿，ICVdd到Vss間被擊穿.（阻值只有幾K到幾百K）.
4、假設(shè)以上都沒問題，或許IC被擊穿，可檢驗(yàn)IC各管腳之間阻值。
四、內(nèi)阻大：
1、因?yàn)镸OS內(nèi)阻相對比較穩(wěn)定，出現(xiàn)內(nèi)阻大情況，首要懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對比較簡單發(fā)作改動(dòng)的元器件。
2、假設(shè)FUSE或PTC阻值正常，則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值，或許過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象，阻值較大。
3、假設(shè)以上多沒有問題，就要懷疑MOS是否出現(xiàn)失常：首要供認(rèn)焊接有沒有問題；其次看板的厚度（是否簡單彎折），因?yàn)閺澱蹠r(shí)或許導(dǎo)致管腳焊接處失常；再將MOS管放到顯微鏡下觀測是否破裂；終究用萬用表檢驗(yàn)MOS管腳阻值，看是否被擊穿。
